存储芯片大致可以分为DRAM、NAND和NorFlash。以手机为例,DRAM通常用来存储软件运行时的缓存,NAND通常用来存储照片、视频等需要永久保存的信息。在合肥长鑫存储项目启动的那一年,即年,中国全年进口芯片额亿美元,存储芯片约占三成,几乎完全依赖进口。
在中国DRAM发展史上,曾有中芯国际从英飞凌的DRAM部门拆分出的奇梦达公司合作,试图打破国内无DRAM可用的困境,但最终前者困于同台积电知识产权上的纠纷,停止DRAM的研制与生产,后者陷入融资困而破产,中国第一个成规模的DRAM产业止步于年。6年后,一家名为兆易创新的NorFlash公司希望扩大市场,目标直指DRAM,历经一番波折后,与正规划大力发展半导体产业的合肥市*府一拍即合,签下一纸关于共同建设一个专攻DRAM代工的项目协议——长鑫存储。
DRAM代工厂的建设同样需要斥巨资,据当时合肥经济开发区对长鑫项目的第一次环评公示披露,该项目投资总金额高到亿人民币,建成后年产能约万片。年,长鑫存储官方对外宣称其12英寸晶圆厂总投资达到0亿元。
不过,有与京东方合作的成功案例在先,斥巨资建厂填补国内空白的操作,合肥市*府早已是轻车熟路,自身输血结合调动社会资本,合肥市*府托起整个项目资金的75%,加上国家大基金14.5亿的扶持,同兆易创新一起成功建成了长鑫存储。
年,长鑫存储亮出了与国际主流DRAM产品同步的8GbDDR4,意味着而我国在内存芯片领域实现量产技术突破。
至此,合肥形成了以长鑫存储为代表,包括兆芯电子、大唐存储、康芯威等在内的存储芯片集群。
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